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dc.contributorVilchis Bravo, Heber
dc.contributorPantoja Enríquez, Joel
dc.contributor.advisorVILCHIS BRAVO, HEBER; 204243
dc.contributor.advisorPANTOJA ENRIQUEZ, JOEL; 200978
dc.contributor.authorSantis Espinosa, José Alfredo
dc.creatorSANTIS ESPINOSA, JOSE ALFREDO; 741944
dc.date.accessioned2020-08-28T02:19:35Z
dc.date.available2020-08-28T02:19:35Z
dc.date.issued2018-01
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12753/732
dc.description.abstractEl trabajo aquí descrito presenta los resultados con respecto a las simulaciones eléctricas basadas en celdas solares InXGa1-XN. El estudio teórico se centra en describir el rendimiento de las celdas solares en la homo-unión InGaN considerando las contribuciones experimentales recientes, como el coeficiente de absorción y la concentración de In en capas delgadas. Se utilizó el análisis de simulación de Estructuras Microelectrónicas y Fotónicas (AMPS-1D) y las simulaciones se llevaron a cabo en la región verde en el campo electromagnético.
dc.formatpdf
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad de Ciencias y Artes de Chiapas
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectCeldas solares
dc.subjectElectroquímica
dc.subjectEstructura
dc.subjectInvestigación
dc.subjectSolar cells
dc.subjectElectrochemistry
dc.subjectStructure
dc.subjectInvestigation
dc.subject.classificationIngeniería y Tecnología
dc.titleEstudio de la hetero-estructura CdS InGaN y depósito de Cds sobre diferentes sustratos para aplicación a celdas solares
dc.typeMaestría
dc.identificator7
dc.audiencegeneralPublic
dc.rights.accessopenAccess
dc.type.conacytmasterThesis


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