Estudio de la hetero-estructura CdS InGaN y depósito de Cds sobre diferentes sustratos para aplicación a celdas solares
Abstract
El trabajo aquí descrito presenta los resultados con respecto a las simulaciones eléctricas basadas en celdas solares InXGa1-XN. El estudio teórico se centra en describir el rendimiento de las celdas solares en la homo-unión InGaN considerando las contribuciones experimentales recientes, como el coeficiente de absorción y la concentración de In en capas delgadas. Se utilizó el análisis de simulación de Estructuras Microelectrónicas y Fotónicas (AMPS-1D) y las simulaciones se llevaron a cabo en la región verde en el campo electromagnético.