Síntesis de óxido de grafeno por ruta química para su infiltración en silicio poroso

Abstract

Este trabajo presenta la síntesis de óxido de grafeno (OG) mediante el método de Hummers modificado y su infiltración en silicio poroso (SP), con el fin de crear una heteroestructura OG/SP para aplicaciones en almacenamiento de energía. El OG, con sus propiedades de alta conductividad y resistencia, y el SP, con su porosidad controlable y alta superficie, se combinan para mejorar el rendimiento en dispositivos energéticos. El estudio establece las condiciones experimentales óptimas para la síntesis y caracterización de la heteroestructura, mostrando resultados prometedores en el campo de la energía.