Síntesis y caracterización de nanoestructuras de β-ga2o3 para su aplicación como material fotocatalítico

Abstract

En este trabajo se estudian la síntesis y caracterización del Ga2O3 para aplicarlo como material fotocatalítico. Las películas delgadas se crecieron mediante el método de oxidación térmica controlada (OTC); se utilizó GaAs como sustrato con orientación en los planos preferenciales (1 0 0) y (1 1 1); los cuales fueron tratados térmicamente con rampas desde 400° C a 880° C. Además, se realizó una modelación del crecimiento de Ga2O3 a través de Dinámica Molecular usando el código abierto LAMMPS. Los cálculos fueron elaborados con un rango de 1,000 a 5,000 átomos, las condiciones de temperaturas fueron análogas a las experimentales y los tiempos de ejecución fueron de 1,000 a 2,000 adicionando 50,000 pasos de tiempo para el proceso de enfriamiento posterior al crecimiento.

In this work, we studied the synthesis and characterization of gallium oxide (Ga2O3) to apply it as a photocatalytic material. Ga2O3 thin films were grown by the controlled thermal oxidation (CTO) method; GaAs was used as substrates with orientations (1 0 0) and (1 1 1); which were heat treated with ramps from 400° C to 880° C. In addition, a modeling of the growth of Ga2O3 was performed through Molecular Dynamics using the open source LAMMPS. The programming codes were made with a range of 1 K to 5 K atoms, the temperature conditions were analogous to the experimental ones and the time steps used were from 1 K to 2 K adding 50 K time steps for the cooling process after the growth.