Desarrollo de un método de infiltración in situ de óxido de galio en silicio poroso

Abstract

La creciente demanda por dispositivos electrónicos más eficientes ha impulsado el desarrollo de nuevos materiales y tecnologías relacionadas con la industria de los semiconductores. Entre estos materiales, el silicio poroso (SP) ha ganado relevancia debido a su potencial para mejorar las propiedades de los dispositivos optoelectrónicos y sensores, gracias a su estructura nanométrica, su capacidad para ser modificado químicamente y su facilidad de incorporación a la tecnología del silicio. Sin embargo, uno de los retos clave es mejorar su estabilidad y funcionalidad para aplicaciones avanzadas. En este contexto, el óxido de galio (Ga2O3) es un óxido semiconductor, que ha sobresalido de entre este tipo de óxidos como un material promisorio para el desarrollo de dispositivos semiconductores, debido a sus características únicas, como su amplia banda prohibida, alta movilidad de portadores y gran estabilidad térmica. Estas propiedades lo convierten en un candidato ideal para diversas aplicaciones, incluyendo dispositivos electrónicos de alta potencia y sensores ultravioletas. La combinación de silicio poroso con óxido de galio ofrece una oportunidad para diseñar materiales híbridos con mejores propiedades físicas y químicas, que podrían superar las limitaciones de cada material individualmente. En la industria de los semiconductores y el desarrollo de nuevos materiales, los métodos in situ han ganado popularidad por su capacidad para controlar de manera precisa las condiciones durante el proceso de síntesis o modificación de materiales. Estos métodos permiten realizar modificaciones químicas o físicas directamente en el entorno donde el material está siendo procesado, lo que reduce la posibilidad de contaminación y mejora la precisión en la distribución de compuestos o dopantes. En particular, el uso de métodos in situ para la infiltración de materiales como el óxido de galio en matrices como el silicio poroso proporciona ventajas significativas. Permite un control más preciso sobre las interacciones interfaciales, lo que se traduce en materiales con propiedades electrónicas, ópticas y estructurales mejoradas.