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dc.contributor.advisorMEZA AVENDAÑO, CARLOS ALONSO; 402165
dc.contributor.authorRoblero Castañon, Eber Antonio
dc.creatorROBLERO CASTAÑON, EBER ANTONIO; 1181130
dc.date.accessioned2024-10-03T19:07:38Z
dc.date.available2024-10-03T19:07:38Z
dc.date.issued2024-09-18
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12753/5555
dc.description.abstractEn este estudio se utilizó al óxido de zinc (ZnO) como una capa transportadora de electrones (ETL), debido a sus sobresalientes propiedades semiconductoras y su proceso de síntesis sencillo en comparación con otros semiconductores. Obteniendo películas delgadas con tiempo de depósito de 3 y 5 días a temperaturas bajas por medio de la técnica de baño químico y con tratamientos térmicos de 400°C y 500°C con tiempos de 1, 3 y 5 horas de recocido, analizando el espesor, morfología, estructura y sus propiedades ópticas. El análisis teórico de la capa transportadora de electrones (ETL por sus siglas en inglés) se llevó a cabo utilizando el simulador de celdas solares SCAPS 1-D. Al ingresar los valores experimentales del ZnO, se obtuvo una eficiencia de conversión de energía (η) del 5.89%. No obstante, se identificaron parámetros clave que influyeron en la mejora de la conversión de energía de la celda, como la densidad de cargas aceptoras, el espesor y la afinidad electrónica. Esto resultó en un aumento del voltaje de circuito abierto (Voc), la densidad de corriente (Jsc) y el factor de forma (FF), logrando una diferencia del 3.82% de conversión de energía (η) con respecto al valor inicial establecido. In this study, zinc oxide (ZnO) was used as an electron transport layer (ETL) due to its outstanding semiconductor properties and its simple synthesis process compared to other semiconductors. Thin films were obtained with deposition times of 3 and 5 days at low temperatures using the chemical bath technique and with thermal treatments of 400°C and 500°C with annealing times of 1, 3, and 5 hours, analyzing thickness, morphology, structure, and optical properties. The theoretical analysis of the electron transport layer (ETL) was carried out using the SCAPS 1-D solar cell simulator. By inputting experimental values of ZnO, an energy conversion efficiency (η) of 5.89% was obtained. However, key parameters influencing the cell's energy conversion improvement were identified, such as acceptor charge density, thickness, and electron affinity. This resulted in an increase in open-circuit voltage (Voc), short-circuit current density (Jsc), and fill factor (FF), achieving an energy conversion efficiency (η) of 3.82% compared to the initial established value.es_MX
dc.description.sponsorshipCONAHCyTes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.language.isospaes_MX
dc.publisherUniversidad de Ciencias y Artes de Chiapases_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subjectZnOes_MX
dc.subjectPelículas delgadases_MX
dc.subjectCelda Solares_MX
dc.subjectCapa Transportadora de Electroneses_MX
dc.subjectPerovskitases_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.otherMateriales y Sistemas Energéticos Renovableses_MX
dc.titleSimulación numérica de celda solar de Perovskita con la incorporación de ZnO como capa transportadora de electroneses_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.rights.accessopenAccesses_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX


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