Diseño y construcción de un sensor de ozono utilizando SnO2

Abstract

En el presente trabajo se examinan algunos de los aspectos más importantes relacionados con la producción de recubrimientos delgados de sol-gel para el depósito de SnO2 y algunas aplicaciones de estos como barreras físicas y/o químicas, así como recubrimientos decorativos. Para estas aplicaciones es necesario producir recubrimientos con estructuras delgadas, y con una porosidad adecuada para el depósito del semiconductor. Se muestra como utilizando rutas apropiadas de hidrólisis/condensación, en el proceso sol-gel, es posible preparar recubrimientos con estructuras con la porosidad que se desee. Esto se logra cuando las soluciones precursoras contienen razones molares de TEOS/H2O mayores a 5. Así también se muestra como al adicionar partículas de óxido de estaño (SnO2) en la solución precursora, con ayuda del alcohol, se mantiene la estructura deseada. Se incorpora una metodología rudimentaria para poder adicionar el SiO2 durante el desarrollo del sol-gel. Elementos semiconductores como lo es en este caso el SnO2 en concentraciones suficientemente altas para obtener la misma morfología en los recubrimientos que sin el SnO2. Se presenta un modelo sencillo, el cual permite evaluar, de forma cualitativa, el grado de desorden estructural del SiO2, observando las estructuras formadas a través del microscopio. Se analiza y se desarrollan diferentes prototipos simples de electros que cumplen la función de conectar la estructura del sol-gel con un multímetro para poder medir las diferentes variaciones en valores de resistencia que experimente la suspensión de SiO2 en exposición al O3.