Modelación del crecimiento epitaxial de InGaN mediante la técnica LPMOCVD

Abstract

El presente manuscrito se enfoca en la simulación computacional del crecimiento epitaxial de películas delgadas de nitruro de galio-indio (InGaN) emulando los parámetros termodinámicos experimentales de la técnica Depósito Químico en Fase Vapor a Bajas Presiones usando Fuentes Metal-Orgánicas, (LPMOCVD por sus siglas en inglés) empleando la Dinámica Molecular a través del software LAMMPS (Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator). El emular la técnica de crecimiento a través del software ayudó a predecir las fases de los materiales a depositar en función de las concentraciones de indio. Se obtuvieron 5 modelos de plantillas de simulación con concentraciones de indio de 0.11, 0.17, 0.21 y 0.25. Los resultados demuestran la formación de películas delgadas en fase cúbica con porcentajes de inclusión hexagonal de 1.4 % para las concentraciones de indio 0.11 y 0.25. Para las concentraciones de indio 0.17 y 0.21 el porcentaje fue de 0.5 % This manuscript focuses on the computational simulation of the epitaxial growth of gallium-indium nitride (InGaN) thin films emulating the experimental thermodynamic parameters of the Low-Pressure Chemical Vapor Deposition technique using Metal-Organic Sources, (LPMOCVD) using Molecular Dynamics through the software LAMMPS (Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator). Emulating the growth technique through the software helped to predict the phases of the materials to be deposited based on the indium concentrations. Five simulation template models with indium concentrations of 0.11, 0.17, 0.21 and 0.25 were obtained. The results demonstrate the formation of thin films in the cubic phase with hexagonal inclusion percentages of 1.4 % for indium concentrations 0.11 and 0.25. For the concentrations of indium 0.17 and 0.21 the percentage was 0.5 %