Estudio del Ternario InxGa1-xN en fase Cúbica

Abstract

La presente tesis investiga la estabilidad de los ternarios InxGa1-xN. Reportes de estudios experimentales muestran que estos semiconductores poseen estructura mecánica estable y composición química inestable. Es decir, segregan sus especies metálicas a pesar de conservar su estructura geométrica. La tesis construye una posible explicación de la estabilidad mecánica de este semiconductor. La fundamentación se encuentra en las propiedades energéticas de dichos materiales. Se trata de un estudio teórico basado en cálculos de primeros principios tanto de las estructuras de equilibrio mecánico como de las cohesiones de cada fase de estos semiconductores. Todos los cálculos se realizaron con una implementación numérica de la Teoría de Funcionales de la Densidad: el código computacional VASP. Destacando el haber encontrado que las brechas prohibidas de energía del ternario en las estructuras wurtzita (WZ) y zinc blenda (ZB) son similares, además de haber logrado reproducir las cantidades del ternario en cada fase medidas en el experimento.